MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP | Vishay Siliconix
通孔 N 通道 200 V 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-HVMDIP
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IRFD210是一款最小包装数为2500PCS的单 FET，MOSFET ，是 Vishay Siliconix公司生产并销售的常用电子物料，广泛应用于汽车电子、工业控制、智能家居等领域。 IRFD210使用的是4-DIP（0.300，7.62mm）封装，并具备了MSL1的湿度等级和ROHS认证。英诺华科技是Vishay Siliconix公司的授权代理商，长期为您提供IRFD210的售前售后服务。
技术参数
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制造商：Vishay Siliconix 系列：- 包装：管件 产品状态：停产 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 360mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.2 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：140 pF @ 25 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：1W（Ta） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：通孔 供应商器件封装：4-HVMDIP 封装/外壳：4-DIP（0.300，7.62mm） 基本产品编号：IRFD210 |
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物流信息
| 发货仓 | 深圳仓 / 香港仓 |
| 海关税号 | - |
| 最小发货包装 | 2500 pieces |
环保信息
| RoHS conform | Yes |
| Date of RoHS guidelines | 3/31/15 |
| SVHC free | Yes |